Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Ray S$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
1. |
Ray S. Performance Implications of Corporate Strategic Behavior of Firms in An Emerging Economy during Economic Liberalization [Електронний ресурс] / S. Ray // Problems and perspectives in management. - 2004. - Iss. 2. - С. 246-256. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/prperman_2004_2_18
| 2. |
Thakran M. High Pressure Growth Approach for the Preparation of Reduced Graphene Oxide and its Investigation Using Raman Spectroscopy [Електронний ресурс] / M. Thakran, S. Kumar, R. Phogat, S. K. Ray, R. Brajpuriya, A. S. Rana, B. Kumar // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04015-1-04015-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_17 Похідні графену демонструють надзвичайні механічні, оптичні та електронні властивості, які викликали високий науковий інтерес, і мають величезний потенціал для використання у різних додатках. Раманівська спектроскопія є універсальним інструментом для характеристики та ідентифікації хімічних і фізичних властивостей похідних графену. У роботі описано основні процеси раманівського розсіювання режимів першого (G) та другого порядку (D, G<^>*, 2D, G + D, 2G), які мають місце в оксиді графену (GO) та відновленому оксиді графену (r-GO), підготовлених з застосуванням методу вирощування за високого тиску. Для r-GO лінії розширено і трохи зміщено в червону область для всіх смуг у порівнянні з GO через розвинення деформації під час вирощування за високого тиску (гідротермальний процес) в результаті видалення функціональних груп кисню. Обговорено нормалізоване відношення інтенсивностей (ID/IG) для GO та r-GO. В обох зразках відношення ID/IG є високим, що свідчить про малі розміри GO та r-GO та наявність турбостратичного вуглецю та невпорядкованих структур. Зіставлення піків 2D-смуги демонструє чотири Лоренцівські піки, а інтенсивність 2D-смуги у порівнянні із G-смугою сильно зменшується, що підтверджує, що автори успішно синтезували двошаровий/тришаровий GO та r-GO. Для GO та r-GO розраховано розмір кристалітів (La). Існування 2D-смуги підтверджує, що автори синтезували високоякісні GO та r-GO.
|
|
|